2SK4066-E
Número de pieza:
2SK4066-E
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 100A SMP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18545 Pieces
Ficha de datos:
2SK4066-E.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:-
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SMP
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:4.7 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo):1.65W (Ta), 90W (Tc)
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:TO-220-3, Short Tab
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:2SK4066-E
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:12500pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:220nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 60V 100A (Ta) 1.65W (Ta), 90W (Tc) Through Hole SMP
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET N-CH 60V 100A SMP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:100A (Ta)
Email:[email protected]

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