2SK2995(F)
2SK2995(F)
Número de pieza:
2SK2995(F)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 250V 30A TO-3PN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12114 Pieces
Ficha de datos:
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Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.5V @ 1mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-3P(N)IS
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:68 mOhm @ 15A, 10V
La disipación de energía (máximo):90W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-3P-3, SC-65-3
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:2SK2995(F)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5400pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:132nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 250V 30A (Ta) 90W (Tc) Through Hole TO-3P(N)IS
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:250V
Descripción:MOSFET N-CH 250V 30A TO-3PN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:30A (Ta)
Email:[email protected]

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