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2SB817C-1E
- Número de pieza:
- 2SB817C-1E
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- TRANS PNP 140V 12A
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15223 Pieces
- Ficha de datos:
- 2SB817C-1E.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para 2SB817C-1E, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para 2SB817C-1E por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 140V |
|---|---|
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 2V @ 500mA, 5A |
| Tipo de transistor: | PNP |
| Paquete del dispositivo: | TO-3P-3L |
| Serie: | - |
| Potencia - Max: | 120W |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Otros nombres: | 2SB817C-1E-ND 2SB817C-1EOS |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 2 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | 2SB817C-1E |
| Frecuencia - Transición: | 10MHz |
| Descripción ampliada: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 140V 12A 10MHz 120W Through Hole TO-3P-3L |
| Descripción: | TRANS PNP 140V 12A |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 100 @ 1A, 5V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 100µA (ICBO) |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 12A |
| Email: | [email protected] |
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