2SA1930,CKQ(J
2SA1930,CKQ(J
Número de pieza:
2SA1930,CKQ(J
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
TRANS PNP 2A 180V TO220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18582 Pieces
Ficha de datos:
2SA1930,CKQ(J.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):180V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:1V @ 100mA, 1A
Tipo de transistor:PNP
Paquete del dispositivo:TO-220NIS
Serie:-
Potencia - Max:2W
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:TO-220-3 Full Pack
Otros nombres:2SA1930CKQ(J
2SA1930CKQJ
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:2SA1930,CKQ(J
Frecuencia - Transición:200MHz
Descripción ampliada:Bipolar (BJT) Transistor PNP 180V 2A 200MHz 2W Through Hole TO-220NIS
Descripción:TRANS PNP 2A 180V TO220-3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:100 @ 100mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max):5µA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max):2A
Email:[email protected]

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