1N6076US
Número de pieza:
1N6076US
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
DIODE GEN PURP 50V 6A D5B
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
14807 Pieces
Ficha de datos:
1N6076US.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1.76V @ 18.8A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):50V
Paquete del dispositivo:D-5B
Velocidad:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:-
Tiempo de recuperación inversa (trr):30ns
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:SQ-MELF, E
Temperatura de funcionamiento - Junction:-65°C ~ 155°C
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:1N6076US
Descripción ampliada:Diode Standard 50V 6A Surface Mount D-5B
Tipo de diodo:Standard
Descripción:DIODE GEN PURP 50V 6A D5B
Corriente - Fuga inversa a Vr:5µA @ 50V
Corriente - rectificada media (Io):6A
Capacitancia Vr, F:-
Email:[email protected]

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