1N5417US
1N5417US
Número de pieza:
1N5417US
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
DIODE GEN PURP 200V 3A D5B
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
15201 Pieces
Ficha de datos:
1N5417US.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1.5V @ 9A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):200V
Paquete del dispositivo:D-5B
Velocidad:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:-
Tiempo de recuperación inversa (trr):150ns
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:E-MELF
Temperatura de funcionamiento - Junction:-65°C ~ 175°C
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:7 Weeks
Número de pieza del fabricante:1N5417US
Descripción ampliada:Diode Standard 200V 3A Surface Mount D-5B
Tipo de diodo:Standard
Descripción:DIODE GEN PURP 200V 3A D5B
Corriente - Fuga inversa a Vr:1µA @ 200V
Corriente - rectificada media (Io):3A
Capacitancia Vr, F:-
Email:[email protected]

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