1N5407RL
1N5407RL
Número de pieza:
1N5407RL
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
13529 Pieces
Ficha de datos:
1N5407RL.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1V @ 3A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):800V
Paquete del dispositivo:DO-201AD
Velocidad:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie:-
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:DO-201AA, DO-27, Axial
Temperatura de funcionamiento - Junction:-65°C ~ 170°C
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:1N5407RL
Descripción ampliada:Diode Standard 800V 3A Through Hole DO-201AD
Tipo de diodo:Standard
Descripción:DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Corriente - Fuga inversa a Vr:10µA @ 800V
Corriente - rectificada media (Io):3A
Capacitancia Vr, F:-
Email:[email protected]

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