1N1200A
1N1200A
Número de pieza:
1N1200A
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descripción:
DIODE GEN PURP 100V 12A DO4
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16929 Pieces
Ficha de datos:
1.1N1200A.pdf2.1N1200A.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1.1V @ 12A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):100V
Paquete del dispositivo:DO-4
Velocidad:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie:-
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:DO-203AA, DO-4, Stud
Otros nombres:1242-1065
Temperatura de funcionamiento - Junction:-65°C ~ 200°C
Tipo de montaje:Chassis, Stud Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:1N1200A
Descripción ampliada:Diode Standard 100V 12A Chassis, Stud Mount DO-4
Tipo de diodo:Standard
Descripción:DIODE GEN PURP 100V 12A DO4
Corriente - Fuga inversa a Vr:10µA @ 50V
Corriente - rectificada media (Io):12A
Capacitancia Vr, F:-
Email:[email protected]

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