1N1189R
Número de pieza:
1N1189R
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descripción:
DIODE GEN PURP REV 600V 35A DO5
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17622 Pieces
Ficha de datos:
1.1N1189R.pdf2.1N1189R.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1.2V @ 35A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):600V
Paquete del dispositivo:DO-5
Velocidad:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie:-
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:DO-203AB, DO-5, Stud
Otros nombres:1N1189RGN
Temperatura de funcionamiento - Junction:-65°C ~ 190°C
Tipo de montaje:Chassis, Stud Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:1N1189R
Descripción ampliada:Diode Standard, Reverse Polarity 600V 35A Chassis, Stud Mount DO-5
Tipo de diodo:Standard, Reverse Polarity
Descripción:DIODE GEN PURP REV 600V 35A DO5
Corriente - Fuga inversa a Vr:10µA @ 50V
Corriente - rectificada media (Io):35A
Capacitancia Vr, F:-
Email:[email protected]

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